Высоковольтные семейства MDmesh K5 от ST MicroelectronicsВсе новости

Транзисторы семейства MDmesh K5 от ST Microelectronics представляют собой высоковольтные MOSFET, изготовленные по технологии super-junction. По сравнению с предшествующей технологией SuperMESH 3 у транзисторов нового семейства уменьшена толщина основного слоя полупроводниковой структуры, что позволило снизить сопротивление канала в открытом состоянии (Rgs(on)) и базовый параметр оценки MOSFET – FOM (произведение Rgs on на заряд затвора). 

Высоковольтные семейства MDmesh K5 от ST Microelectronics

Семейство MDmesh K5 включает транзисторы с напряжением от 800 до 1500 В. Высокое напряжение пробоя транзисторов дает возможность увеличить надежность проектируемых изделий или применить их в более высоковольтных приложениях.

Новые 900–вольтовые транзисторы имеют сопротивление Rgs(on) до 0,1 Ом, причем приборы  в корпусе DPAK имеют лучшую в отрасли величину сопротивления – 0,81 Ом макс. Кроме того, благодаря минимальной в отрасли величине заряда затвора они имеют более высокую скорость переключения. Эти характеристики увеличивают КПД и надежность для всех типов обратноходовых преобразователей мощностью от 35 до 230 Вт. Низкие входные и выходные емкости обеспечивают коммутацию при нулевом напряжении с минимальными потерями энергии в полумостовых преобразователях LLC.

Транзисторы MDmesh K5 идеально подходят для применения в импульсных преобразователях, в 3-фазных вспомогательных источниках питания, для светодиодного освещения,  а также в измерительных приборах, солнечных инверторах, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Имеющиеся в наличии транзисторы MDmesh K5

Наименование Корпус Напряжение, В Ток, макс., А R ds(on), макс., Ом Qg, тип, нКл

STB6N80K5

D2PAK

800 4,5 1,6 13

STL4N80K5

PowerFLAT5x6 VHV

800 2,5 0,25 10,5

STF15N80K5

TO-220FP

800 14  0,375 32

STF6N95K5

TO-220FP

950 9 1,25 13

STP21N90K5

TO-220

900 18,5 0,299 43

STW21N90K5

TO-247

900 18,5 0,299 43

STW12N120K5

TO-247

1200 12 0,69 44,2
To top