SPI NOR Flash напряжением 1,2 и 1,5 В от WinbondВсе новости

Компания Winbond Electronics объявила о выпуске низковольтных микросхем NOR Flash памяти семейства W25Q80NE с интерфейсом SPI на 1,2 и 1,5 В. Микросхемы обладают самым низким напряжением для NOR Flash памяти, доступной на рынке.

SPI NOR Flash SPI NOR Flash - 2

Ключевые характеристики:

Низкая мощность, широкий диапазон температур

  • Питание семейства 1,2 В: от 1,14 до 1,3 В
  • Питание семейства 1,5 В: от 1,14 до 1,6 В
  • Активный ток: 2мА
  • Ток отключения: < 0,5 мA
  • Рабочий температурный диапазон: от -40 до +85°C

Гибкая архитектура с секторами 4 Кбайт

  • Стирание сектора (4 Кбайт)
  • Стирание блоков (32 Кбайт и 64 Кбайт)
  • Программирование от 1 до 256 байт

Высокая производительность Flash SPI

  • Single, dual или quad SPI и QPI
  • Тактовая частота 104 МГц, поддерживающая передачу данных до 52 Мбайт/сек

Многообразие корпусов

  • 8-pin SOIC 150mil
  • USON8 2×3мм
  • 8-ball WLCSP
  • KGD

Микросхемы семейства W25Q80NE обеспечивают низкий ток в режиме ожидания и самый низкий ток считывания при высокой тактовой частоте. Низкое напряжение, скорость передачи 52 мегабайта в секунду и компактный восьмивыводной корпус делают NOR Flash SPI от Winbond оптимальными для широкого спектра потребительских, IoT/Bluetooth и промышленных приложений.

Благодаря низкому напряжению уменьшается шумовая связь, что позволяет обеспечить более компактную конструкцию печатной платы и позволяет использовать низковольтные регуляторы вместо более крупных микросхем управления питанием.

Микросхемы на 1,2 В охватывают диапазон рабочих напряжений от 1,14 до 1,3 В и идеально подходят для конструкций с низким энергопотреблением.

Микросхемы на 1,5 В обладают более широким диапазоном от 1,14 до 1,6 В и увеличивают продолжительность работы батареи в портативных устройствах.

Семейство W25Q80NE низковольтных продуктов Winbond поддерживает интерфейсы QSPI и QPI со скоростью 52 Мбайт/сек для работы XIP, что сопоставимо с производительностью существующих на рынке Serial Flash на 1,8 и 3 В.

Первая микросхема семейства W25Q80NE плотностью 8 Мбит на 1,2 В доступна заказчикам в России уже сегодня. Серийный выпуск микросхемы начнется в 2018 году.

Остальные микросхемы семейства плотностью от 1 до 128 Мбит на 1,2 и 1,5 В будут последовательно выводится на рынок.

Макро Групп является официальным партнером Winbond Electronics Corporation на территории России.

Для заказа бесплатных образцов, получения дополнительной информации и технической поддержки пишите на адрес: memory@macrogroup.ru, либо свяжитесь с нами по телефону 8 (800) 333-06-05, доб. 775

Подробнее >>

To top