Высокоскоростные MSDR SDRAM на 512 Мбит от Alliance memoryВсе новости

Производитель Alliance Memory представляет две новые высокоскоростные CMOS микросхемы мобильных синхронных DRAM (MSDR) плотностью 512 Мбит, предназначенных для увеличения срока службы аккумулятора в мобильных устройствах.

Микросхемы AS4C32M16MS и AS4C16M32MS обладают низким напряжением питания 1,8 В и доступны в корпусах 54-ball и 90-ball FPBGA. Микросхемы оснащены автоматической температурной компенсацией (TCSR), что сводит к минимуму потребление энергии при низких температурах.

Основные характеристики:

  • Внутренняя конфигурация: 4 банка x 8 Мбит x 16 и 4 банка x 4 Мбит x 32
  • Тактовая частота до 166 МГц
  • Напряжение питания: 1,8 В
  • Корпус: 54-ball и 90-ball FPBGA
  • Расширенный коммерческий (-25 °C до +85 °C) и промышленный (-40 °C до +85 °C) температурные диапазоны
  • Не содержат свинец и галоген

AS4C32M16MS и AS4C16M32MS pin-to-pin совместимы с рядом аналогичных микросхем других производителей для применений в портативной электронике, медицинском оборудовании, сетевых и телекоммуникационных устройствах, благодаря чему устраняется необходимость в дорогостоящей модернизации и переразводке платы.

Подробнее

To top