Отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов EPC2007Все новости

EPC9006отладочная плата полумоста на основе eGaN (Нитрид Галлия) FET транзисторов с индуцированным каналом EPC2007. Максимальное выходное напряжение полумоста 100 V, а максимальное значение тока 5 А. Назначение платы EPC9006 – упрощение оценки eGaN FET транзисторов EPC2007, а также критических параметров компонентов платы. eGaN FET транзисторы имеют целый ряд преимуществ по сравнению с традиционными MOSFET. Среди них можно отметить низкое сопротивление открытого канала, небольшая емкость, повышенная радиационная устойчивость и др.

EPC9006 - отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов с индуцированным каналом EPC2007

На оценочной плате с габаритами 2х1.5 дюйма установлены не только два eGaN FET транзистора EPC2007 в конфигурации полумоста, но и драйвер затвора LM5113, стабилизатор напряжения питания драйвера, развязывающие конденсаторы и др. Плата содержит все необходимые компоненты, оптимальным образом расположенные на плате. Кроме того, имеются тестовые точки, где легко можно посмотреть форму сигнала и измерить его параметры.

Ниже приведена функциональная схема отладочной платы EPC9006

Функциональная схема отладочной платы EPC9006

Отличительные особенности:

  • полумост на основе двух eGaN FET транзисторов EPC2007 с индуцированным каналом;
  • драйвер затвора LM5113;
  • максимальное выходное напряжение коммутационного узла 100 V;
  • максимальный выходной ток 5 А;
  • тип управления: ШИМ;
  • отсутствует защита по току;
  • отсутствует защита от перегрева.

Области применения:

  • устройства управления нагрузкой;
  • высокоскоростные DC-DC преобразователи;
  • источники питания;
  • инверторы.
To top