Отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов EPC2012 от компании Efficient Power Conversion CorporationВсе новости

 

EPC9004 - отладочная плата полумоста с максимальным выходным напряжением 200 V и током до 2 А, выполненная на основе eGaN (Нитрид Галлия) FET транзисторов EPC2012 с индуцированным каналом. Назначение платы EPC9004 – упрощение оценки возможностей транзисторов EPC2012, а также изучение критических параметров компонентов платы. Плата может быть легко установлена в существующие преобразователи.

Отладочная плата полумоста EPC9004 на основе eGaN FET транзисторов EPC2012

На отладочной плате с габаритами 2х1.5 дюйма установлены два eGaN FET транзистора EPC2012 в конфигурации полумоста и два драйвера затвора UCC27611 от Texas Instruments. Плата содержит все необходимые компоненты, оптимальным образом расположенные на печатной плате. Кроме того, имеются тестовые точки, где легко можно посмотреть форму сигнала, измерить его параметры и, таким образом, оценить эффективность транзисторов EPC2012.

Ниже, на Рис. 1 приведена функциональная схема отладочной платы EPC9004.

Функциональная схема отладочной платы EPC9004

Рис.1 Функциональная схема отладочной платы EPC9016

Подключения к плате полумоста для обеспечения работоспособности и проведения измерений показаны на Рис. 2.

Внешние подключения к плате полумоста для обеспечения работоспособности и проведения измерений

Рис. 2. Внешние подключения к плате полумоста для обеспечения работоспособности и проведения измерений

Принципиальная электрическая схема отладочной платы полумоста на основе EPC2012

Рис. 3. Принципиальная электрическая схема отладочной платы полумоста на основе EPC2012

Транзисторы EPC2012 имеют относительно небольшие габариты, что увеличивает требования к их охлаждению. Отладочная плата EPC2004 предназначена для использования в условиях невысоких температур окружающей среды в условиях конвекционного охлаждения. При применении принудительного охлаждения можно существенно увеличить номинальный ток устройства. При этом необходимо обеспечить температуру транзисторов, не превышающую 125 градусов Цельсия, которая является критической для EPC2012.

Внимание: на отладочной плате отсутствует защит по току и защита от перегрева!

Отличительные особенности:

  • полумост на основе двух eGaN FET транзисторов EPC2012 с индуцированным каналом;
  • два драйвер затвора UCC27611 (Texas Instruments);
  • максимальное выходное напряжение коммутационного узла 200 V;
  • максимальный выходной ток 2 А;
  • отсутствует защита по току;
  • отсутствует защита от перегрева.

Области применения:

  • устройства управления нагрузкой;
  • высокоскоростные DC-DC преобразователи;
  • источники питания;
  • инверторы и др.
To top