Отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов EPC2015 от компании Efficient Power Conversion CorporationВсе новости

EPC9001 - отладочная плата полумоста на основе eGaN (Нитрид Галлия) FET транзисторов с индуцированным каналом EPC2015. Максимальное значение выходного напряжения полумоста 40 V, а максимальное значение тока - 15 А. Назначение платы EPC9001 – упрощение оценки eGaN FET транзисторов EPC2015, а также критических параметров компонентов платы. eGaN FET транзисторы имеют целый ряд преимуществ по сравнению с традиционными MOSFET. Среди них можно отметить низкое сопротивление Rds открытого канала (в данном случае не более 4 mOhm), небольшая емкость, повышенная радиационная устойчивость и др.

EPC9001 - отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов с индуцированным каналом EPC2015.

На оценочной плате с габаритами 2х1.5 дюйма установлены не только два eGaN FET транзистора EPC2015 в конфигурации полумоста, но и драйвер затвора LM5113 от Texas Instruments, стабилизатор напряжения питания драйвера, развязывающие конденсаторы и др. Плата содержит все необходимые компоненты, оптимальным образом расположенные на плате. Кроме того, имеются тестовые точки, где легко можно посмотреть форму сигнала и измерить его параметры.

Ниже приведена функциональная схема отладочной платы EPC9001.

Функциональная схема отладочной платы EPC9001.

Отличительные особенности:

  • полумост на основе двух eGaN FET транзисторов EPC2015 с индуцированным каналом;
  • дайвер затвора LM5113;
  • максимальное выходное напряжение коммутационного узла 40 V;
  • максимальный выходной ток 15 А;
  • тип управления: ШИМ;
  • отсутствует защита по току;
  • отсутствует защита от перегрева.

Области применения:

  • устройства управления нагрузкой;
  • высокоскоростные DC-DC преобразователи;
  • источники питания;
  • инверторы и др.

Дополнительную документацию, включая схему, гербер, список комплектующих, установленных на плате (Bill of Materials) можно найти на сайте производителя.

To top