500 В MOSFET-транзисторы IRFB812, IRFR812 и IRFR825 со значительно сниженным зарядом затвораВсе новости

 

IRFB812PbFIRFR812PbF и IRFR825PbF – новые 500-вольтовые MOSFET-транзисторы компании International Rectifier доступны в стандартных корпусах TO-220 и D-PAK. При создании новых транзисторов особое внимание было уделено снижению заряда затвора (Qg), что в совокупности с остальными характеристиками наделяет их неоспоримым преимуществом при применении в импульсных источниках питания, системах управления электроприводом и других системах, требующих большой частоты работы силового преобразователя.

D-PAKВ отличие от большинства других MOSFET из линейки IR, которые в данное время производятся по планарной или Trench технологиям, новые транзисторы выполнены по технологии FredFET и поэтому содержат быстровосстанавливающийся внутренний паразитный диод. Одним из преимуществ MOSFET с более быстрым временем обратного восстановления внутреннего паразитного диода является большая устойчивость при работе в преобразователях с переключением при нулевом напряжении.

Наименование

Vds, В

Qg, нКл

Id @ 25°C, A

Rds(on) @ 10 В, Ом

Корпус

IRFB812PBF

500

13,3

3,6

1,75

TO-220AB

IRFR812PBF

500

13,3

3,6

1,85

D-PAK

IRFR825PBF

500

22,7

6,0

1,05

D-PAK


 

To top